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NE68139R-T1

NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

DESCRIPTION NECsNE681seriesofNPNepitaxialsilicontransistorsaredesignedforlownoise,highgain,lowcostamplifierapplications.Boththechipandmicro-xversionsaresuitableforamplifierapplicationsupto4GHz.TheNE681dieisalsoavailableinsixdifferentlowcostplasticsurf

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

NE68139R-T1

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

NE68139R-T1

Package:SOT-143R;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 描述:RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT143R

CEL

California Eastern Labs

NE68139R-T1-A

Package:SOT-143R;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 描述:RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT143R

CEL

California Eastern Labs

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NE68139R-T1

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    10V

  • 頻率 - 躍遷:

    9GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    1.2dB ~ 2dB @ 1GHz

  • 增益:

    13.5dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 7mA,3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    65mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-143R

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-143R

  • 描述:

    RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT143R

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
NEC
24+
SOT-143R
3000
詢價(jià)
NEC(VA)
23+
原廠封裝
13528
振宏微原裝正品,假一罰百
詢價(jià)
CEL
23+
原廠原包
19960
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣
詢價(jià)
CEL
2022+
SOT-143R
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
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CEL
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SOT-143R
9350
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
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CEL
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SOT-143
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CEL
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24+
N/A
82000
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
詢價(jià)
CEL
24+
原廠原封
4000
原裝正品
詢價(jià)
ZXV
20+
SOT-523
90000
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù)
詢價(jià)
更多NE68139R-T1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-25 13:30:00