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NE66219分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

NE66219
廠商型號(hào)

NE66219

參數(shù)屬性

NE66219 封裝/外殼為SOT-523;包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523

功能描述

NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE ? HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD (19, 1608 PKG)
RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523

封裝外殼

SOT-523

文件大小

329.12 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

CEL

中文名稱(chēng)

California Eastern Labs官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-4-7 22:58:00

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NE66219規(guī)格書(shū)詳情

NE66219屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE66219晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開(kāi)關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類(lèi)型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

FEATURES

? Suitable for high-frequency oscillation

? fT = 25 GHz technology adopted

? 3-pin ultra super minimold (19, 1608 PKG) package

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NE66219-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類(lèi)型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    3.3V

  • 頻率 - 躍遷:

    21GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    1.2dB @ 2GHz

  • 增益:

    14dB

  • 功率 - 最大值:

    115mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 5mA,2V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    35mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-523

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-523

  • 描述:

    RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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