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NE650103M_NEC/瑞薩_射頻GaAs晶體管 RO 551-NE650103M-A華富測量
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
NE650103M
- 功能描述:
射頻GaAs晶體管 RO 551-NE650103M-A
- RoHS:
否
- 制造商:
TriQuint Semiconductor
- 技術(shù)類型:
pHEMT
- 頻率:
500 MHz to 3 GHz
- 增益:
10 dB
- 噪聲系數(shù):
正向跨導(dǎo)
- gFS(最大值/最小值):
4 S 漏源電壓
- 閘/源擊穿電壓:
- 8 V
- 漏極連續(xù)電流:
3 A
- 最大工作溫度:
+ 150 C
- 功率耗散:
10 W
供應(yīng)商
- 企業(yè):
華富測量(深圳)傳感技術(shù)有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
李先生
- 手機(jī):
18127009180/18126055730
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-29021626
- 傳真:
0755-29021626
- 地址:
深圳市福田區(qū)深紡大廈C座2A9房間
相近型號(hào)
- NE6500278-E3
- NE650N
- NE6500179A-T1-A
- NE650R279A
- NE6500179A-T1
- NE650R279A-T1
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- NE6510179A-EVPW26
- NE645
- NE6510179A-EVPW35
- NE64480-C
- NE6510179A-T
- NE64/POEBADGE
- NE6510179A-T1
- NE639DH
- NE6510179AT1A
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- NE6510179A-T1-A
- NE630N
- NE6510179A-T1-AK
- NE651N
- NE651R4
- NE630D/01,118
- NE651R479A
- NE630D
- NE651R479AA
- NE6300
- NE651R479A-A
- NE630