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NE6500379A-T1中文資料CEL數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NE6500379A-T1
廠商型號(hào)

NE6500379A-T1

功能描述

3W, L/S-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET

文件大小

162.42 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡(jiǎn)稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-5 23:00:00

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NE6500379A-T1規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NECs NE6500379A is a 3 W GaAs MESFET designed for medium power Fixed Wireless Access, ISM, WLL, PCS, IMT-2000, and return path MMDS transmitter applications. It is capable of delivering 3 Watts of output power with high linear gain, high efficiency and excellent linearity. Reliability and performance uniformity are assured by NECs stringent quality and control procedures

FEATURES

? LOW COST PLASTIC SURFACE MOUNT PACKAGE Available on Tape and Reel

? USABLE TO 2.7 GHz: Fixed Wireless Access, ISM, WLL, MMDS, IMT-2000, PCS

? HIGH OUTPUT POWER: 35 dBm TYP

? HIGH LINEAR GAIN: 10 dB TYP at 1.9 GHz

? LOW THERMAL RESISTANCE: 5 C/W

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NE6500379A-T1

  • 功能描述:

    射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs MESFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類型:

    pHEMT

  • 頻率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪聲系數(shù):

    正向跨導(dǎo)

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓:

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    3 A

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NEC
24+
NA/
3257
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
詢價(jià)
NEC
0546+
十字架
615
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價(jià)
NEC
2138+
8960
專營(yíng)BGA,QFP原裝現(xiàn)貨,假一賠十
詢價(jià)
NEC
04+PB
3M
776
詢價(jià)
NEC
23+
原廠封裝
13528
振宏微原裝正品,假一罰百
詢價(jià)
NEC
24+
7850
只做原裝正品現(xiàn)貨或訂貨假一賠十!
詢價(jià)
CEL
22+
3M
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價(jià)
NEC
7
全新原裝 貨期兩周
詢價(jià)
NEC
2023+
90
詢價(jià)
NEC
23+
TO-59
8510
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)
詢價(jià)