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NE6500379A-T1_NEC/瑞薩_射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs MESFET硅原半導體
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
NE6500379A-T1
- 功能描述:
射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs MESFET
- RoHS:
否
- 制造商:
TriQuint Semiconductor
- 技術類型:
pHEMT
- 頻率:
500 MHz to 3 GHz
- 增益:
10 dB
- 噪聲系數(shù):
正向跨導
- gFS(最大值/最小值):
4 S 漏源電壓
- 閘/源擊穿電壓:
- 8 V
- 漏極連續(xù)電流:
3 A
- 最大工作溫度:
+ 150 C
- 功率耗散:
10 W
供應商
- 企業(yè):
深圳硅原半導體有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
李運鴻
- 手機:
18823676336/13418911282
- 詢價:
- 電話:
18823676336
- 地址:
深圳市龍崗區(qū)坂田街道坂雪崗大道與永香路交匯處創(chuàng)匯國際中心706
相近型號
- NE65000278-E3
- NE650103M-A
- NE64K
- NE6501077
- NE649N
- NE6501077_00
- NE648N
- NE6489N
- NE64700
- NE650N
- NE646N
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- NE646B
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- NE646
- NE650R479A
- NE645N
- NE650R479A-T1
- NE645B
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- NE64535
- NE6510179A
- NE645
- NE64480-C
- NE6510179A1
- NE64/POEBADGE
- NE6510179AA
- NE639DH
- NE6510179A-A
- NE637DK
- NE651017-9AEO
- NE630N
- NE6510179A-EVPW19
- NE6510179A-EVPW24
- NE6510179A-EVPW26
- NE630D/01,118
- NE6510179A-EVPW35
- NE630D
- NE6510179A-T
- NE6300
- NE6510179A-T1
- NE630
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- NE6510179A-T1-A
- NE625N
- NE6510179A-T1-AK
- NE625DK
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- NE625D