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NE5550279A-T1分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
NE5550279A-T1規(guī)格書詳情
FEATURES
? High Output Power : Pout = 33.0 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 40 mA, f = 460 MHz, Pin = 15 dBm)
? High power added efficiency : ηadd = 68 TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 40 mA, f = 460 MHz, Pin = 15 dBm)
? High Linear gain : GL = 22.5 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 40 mA, f = 460 MHz, Pin = 0 dBm)
? High ESD tolerance
? Suitable for VHF to UHF-BAND Class-AB power amplifier.
APPLICATIONS
? 150 MHz Band Radio System
? 460 MHz Band Radio System
? 900 MHz Band Radio System
產品屬性
- 產品編號:
NE5550279A-T1-A
- 制造商:
CEL
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
900MHz
- 增益:
22.5dB
- 額定電流(安培):
600mA
- 功率 - 輸出:
33dBm
- 封裝/外殼:
4-SMD,扁平引線
- 供應商器件封裝:
79A
- 描述:
FET RF 30V 900MHZ 79A
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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RENESAS |
79A |
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