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NE5550279A-T1分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE5550279A-T1
廠商型號

NE5550279A-T1

參數屬性

NE5550279A-T1 封裝/外殼為4-SMD,扁平引線;包裝為托盤;類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產品描述:FET RF 30V 900MHZ 79A

功能描述

Silicon Power LDMOS FET

文件大小

470.92 Kbytes

頁面數量

9

生產廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-1-6 15:00:00

NE5550279A-T1規(guī)格書詳情

FEATURES

? High Output Power : Pout = 33.0 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 40 mA, f = 460 MHz, Pin = 15 dBm)

? High power added efficiency : ηadd = 68 TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 40 mA, f = 460 MHz, Pin = 15 dBm)

? High Linear gain : GL = 22.5 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 40 mA, f = 460 MHz, Pin = 0 dBm)

? High ESD tolerance

? Suitable for VHF to UHF-BAND Class-AB power amplifier.

APPLICATIONS

? 150 MHz Band Radio System

? 460 MHz Band Radio System

? 900 MHz Band Radio System

產品屬性

  • 產品編號:

    NE5550279A-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    900MHz

  • 增益:

    22.5dB

  • 額定電流(安培):

    600mA

  • 功率 - 輸出:

    33dBm

  • 封裝/外殼:

    4-SMD,扁平引線

  • 供應商器件封裝:

    79A

  • 描述:

    FET RF 30V 900MHZ 79A

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