首頁(yè)>NE3515S02-T1C-A>詳情

NE3515S02-T1C-A_RENESAS/瑞薩_射頻GaAs晶體管 Super Low Noise Pseudomorphic明嘉萊五部

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    NE3515S02-T1C-A

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    RENESAS/瑞薩

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    880000

  • 產(chǎn)品封裝：

    SMT84

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    12+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-6-11 17:00:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：NE3515S02-T1C-A品牌：RENESAS/瑞薩

明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨

  • 芯片型號(hào)：

    NE3515S02-T1C-A

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    CEL詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    California Eastern Labs

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    9 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    415.03 kb

  • 資料說(shuō)明：

    HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    NE3515S02-T1C-A

  • 功能描述：

    射頻GaAs晶體管 Super Low Noise Pseudomorphic

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類(lèi)型：

    pHEMT

  • 頻率：

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益：

    10 dB

  • 噪聲系數(shù)：

    正向跨導(dǎo)

  • gFS（最大值/最小值）：

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓：

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    3 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 功率耗散：

    10 W

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市明嘉萊科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    劉小姐/王先生

  • 手機(jī)：

    13392418090

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話：

    13392418090

  • 傳真：

    0755-83939536

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振華路118號(hào)華麗大院西座1棟518

相近型號(hào)