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NE3515S02-T1C-A_RENESAS/瑞薩_射頻GaAs晶體管 Super Low Noise Pseudomorphic星宇佳科技

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  • 廠家型號：

    NE3515S02-T1C-A

  • 產品分類：

    IC芯片

  • 生產廠商：

    RENESAS(瑞薩)/IDT

  • 庫存數(shù)量：

    2000

  • 產品封裝：

    Micro-X-4

  • 生產批號：

    20+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-6-11 17:30:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：NE3515S02-T1C-A品牌：RENESAS(瑞薩)/IDT

  • 芯片型號：

    NE3515S02-T1C-A

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    CEL詳情

  • 廠商全稱：

    California Eastern Labs

  • 內容頁數(shù)：

    9 頁

  • 文件大?。?/span>

    415.03 kb

  • 資料說明：

    HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

產品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    NE3515S02-T1C-A

  • 功能描述：

    射頻GaAs晶體管 Super Low Noise Pseudomorphic

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    TriQuint Semiconductor

  • 技術類型：

    pHEMT

  • 頻率：

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益：

    10 dB

  • 噪聲系數(shù)：

    正向跨導

  • gFS（最大值/最小值）：

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓：

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    3 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 功率耗散：

    10 W

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市星宇佳科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    鐘先生

  • 手機：

    13332931905

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82522195

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)華富路1004號南光大廈510

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