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NE3210S01-T1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
NE3210S01-T1 |
| 參數(shù)屬性 | NE3210S01-T1 封裝/外殼為4-SMD；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 4V 12GHZ S01 |
| 功能描述 | SUPER LOW NOISE HJ FET |
| 封裝外殼 | 4-SMD |
| 文件大小 |
414.97 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
7 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | California Eastern Labs |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
CEL |
| 中文名稱 | California Eastern Labs官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-24 19:26:00 |
NE3210S01-T1規(guī)格書詳情
NE3210S01-T1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE3210S01-T1晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
NE3210S01-T1B
- 制造商：
CEL
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
HFET
- 頻率：
12GHz
- 增益：
13.5dB
- 額定電流（安培）：
15mA
- 噪聲系數(shù)：
0.35dB
- 封裝/外殼：
4-SMD
- 供應(yīng)商器件封裝：
SMD
- 描述：
FET RF 4V 12GHZ S01
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
2016+ |
SMT-86 |
2500 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價(jià) | ||
NEC |
23+ |
SMT86 |
20000 |
原廠原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
NEC |
24+ |
SO86 |
35200 |
一級(jí)代理/放心采購(gòu) |
詢價(jià) | ||
SZJ |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
NE3210S01-T1 |
125 |
125 |
詢價(jià) | ||||
NEC |
SMT-86 |
157 |
正品原裝--自家現(xiàn)貨-實(shí)單可談 |
詢價(jià) | |||
RENESAS/瑞薩 |
22+ |
SMT86 |
9000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
NEC |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
24+ |
3000 |
公司存貨 |
詢價(jià) | ||||
NEC |
21+ |
4K/RSMT |
12588 |
原裝正品,自己庫(kù)存 假一罰十 |
詢價(jià) |
