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NE202930-T1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE202930-T1
廠商型號

NE202930-T1

參數(shù)屬性

NE202930-T1 封裝/外殼為SC-70,SOT-323;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 6V 11GHZ SOT323

功能描述

Silicon NPN Epitaxial High Frequency Transistor

文件大小

217.2 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-2 23:00:00

NE202930-T1規(guī)格書詳情

FEATURES

? High transition frequency fT = 11 GHz TYP.

? Ideal for low noise and low distortion amplification

? Suitable for equipments of low collector voltage (Less than 5 V)

? Suitable for up to 1 GHz applications

???????

APPLICATIONS

? LNA (Low Noise Amplifier) or power splitter for digital-TV

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NE202930-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    6V

  • 頻率 - 躍遷:

    11GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.15dB @ 1GHz

  • 增益:

    13.5dB

  • 功率 - 最大值:

    150mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    85 @ 5mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-70,SOT-323

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-323

  • 描述:

    RF TRANS NPN 6V 11GHZ SOT323

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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