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NE02107B
廠商型號(hào)

NE02107B

功能描述

NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

文件大小

171.51 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 List of Unclassifed Manufacturers
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ETC

中文名稱

未分類制造商

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-6 22:59:00

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NE02107B規(guī)格書詳情

[CEL]

DESCRIPTION

NECs NE021 series of NPN silicon transistors provides economical solutions to wide ranges of amplifier and oscillator problems. Low noise and high current capability provide low intermodulation distortion. The NE021 series is available as a chip or in several package styles. The series uses the NEC gold, platinum, titanium, and platinum-silicide metallization system to provide the utmost in reliability. NE02107 is available in both common-base and common-emitter configurations and has been qualified for high-reliability space applications.

FEATURES

? HIGH INSERTION GAIN: 18.5 dB at 500 MHz

? LOW NOISE FIGURE: 1.5 dB at 500 MHz

? HIGH POWER GAIN: 12 dB at 2 GHz

? LARGE DYNAMIC RANGE: 19 dBm at 1 dB, 2 GHz Gain Compression

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NE02107B

  • 功能描述:

    射頻雙極小信號(hào)晶體管 DISC BY CEL 08/01 07B NPN HIGH FREQ

  • RoHS:

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 配置:

    Single

  • 晶體管極性:

    NPN

  • 最大工作頻率:

    7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    15 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    2 V

  • 集電極連續(xù)電流:

    0.15 A

  • 功率耗散:

    1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 封裝/箱體:

    SOT-223

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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