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NDPL180N10B

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NDPL180N10B

N-Channel Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NDPL180N10B

N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

NDPL180N10BG

N-Channel Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

180N10B

N-ChannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

180N10N

OptiMOSTM3Power-Transistor

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FIR180N10PG

N-ChannelEnhancementModePowerMosfet

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司

FIR180N10RG

N-ChannelEnhancementModePowerMosfet

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司

HRD180N10K

N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

HRD180N10K

SuperiorAvalancheRuggedTechnology

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

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更多NDPL180N10B供應(yīng)商 更新時間2025-3-26 14:01:00

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