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NTD5406N	文件：82.27 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTD5406N	文件：298.48 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=70A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=10mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
NTD5406NG	文件：133.71 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET40V,70A,SingleN??hannel,DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTE5406	文件：18.72 Kbytes Page：2 Pages	SiliconControlledRectifier(SCR)0.8AmpSensitiveGate Description: TheNTE5400throughNTE5406sensitivegateSCRsemiconductorsarehalfwaveunidirectionalgatecontrolledrectifiers(SCR–thyristor)ratedat0.8ampsRMSmaximumon–statecurrent,withratedvoltagesupto600volts. Thesedevicesfeature200microampgatesensitivity,5millam	NTE NTE Electronics	NTE
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更多NDL5406供應(yīng)商更新時間2025-1-15 10:35:00

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