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NDF04N60ZH

N-ChannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NDF04N60ZH

N-ChannelPowerMOSFET600V,2.0Ohm

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NDP04N60Z

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NDP04N60Z

N-ChannelPowerMOSFET1.8,600Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NDP04N60ZG

N-ChannelPowerMOSFET1.8,600Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

SCT04N60D

Triac

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光電子集團

SCT04N60E

Triac

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光電子集團

SCT04N60FD

Triac

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光電子集團

SCT04N60P

Triac

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光電子集團

SDF04N60

SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON)

SamhopSamHop Microelectronics Corp.

三合微科三合微科股份有限公司

SDU04N60

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

SDU04N60

PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

SDUD04N60

SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).

SamhopSamHop Microelectronics Corp.

三合微科三合微科股份有限公司

SGB04N60

FastIGBTinNPT-technology

FastIGBTinNPT-technology ?75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGB04N60

FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGD04N60

FastIGBTinNPT-technology

FastIGBTinNPT-technology ?75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGD04N60

FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGD04N60

PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

SGP04N60

FastIGBTinNPT-technology

FastIGBTinNPT-technology ?75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGP04N60

FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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VBSEMI
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查現(xiàn)貨到京北通宇商城
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ON/安森美
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原裝正品,自己庫存 假一罰十
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