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NDD04N50Z-1G

N-Channel Power MOSFET 500 V, 2.7 

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NDD04N50Z-1G

N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

NDD04N50Z-1

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.7Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    NDD04N50Z-1G

  • 功能描述:

    MOSFET 600V 3A HV MOSFET IPAK

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ONSEMI/安森美
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專業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量價格低
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進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)QQ3171516190
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更多NDD04N50Z-1G供應(yīng)商 更新時間2024-12-23 8:30:00