NDD01N60-1G_VBSEMI/微碧半導(dǎo)體_NFET DPAK 600V 1.5A 8.5O - Trays威雅利發(fā)展

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào):

    NDD01N60-1G

  • 產(chǎn)品分類:

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    VBsemi

  • 庫存數(shù)量:

    10020

  • 產(chǎn)品封裝:

    TO251

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    21+

  • 庫存類型:

    常用庫存

  • 更新時(shí)間:

    2025-2-13 14:06:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào):NDD01N60-1G品牌:VBsemi

一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力

  • 芯片型號(hào):

    NDD01N60-1G

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡稱:

    VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名稱:

    微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    9 頁

  • 文件大?。?/span>

    1082.23 kb

  • 資料說明:

    N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào):

    NDD01N60-1G

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 功能描述:

    NFET DPAK 600V 1.5A 8.5O - Trays

  • 功能描述:

    NFET DPAK 600V 1.5A 8.5O - Rail/Tube

  • 功能描述:

    MOSFET NFET DPAK 600V 1.5A 8.5O

  • 功能描述:

    MOSFET, N CH, 600V, 1.5A, TO-251-3, Transistor

  • Polarity:

    N Channel, Continuous Dr

  • Polarity:

    N Channel, Continuous Drain Current

  • Id:

    1.5A, Drain Source Voltage

  • Vds:

    600V, On Resistance

  • Rds(on):

    8ohm, Rds(on) Test Voltage

  • Vgs:

    10V, Threshold Voltage

  • Vgs:

    3.3V, No. of

  • Pins:

    3 , RoHS

  • Compliant:

    Yes

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市威雅利發(fā)展有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    陳經(jīng)理

  • 手機(jī):

    18938923845

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    0755-83137789/18938923845

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)A座12K