首頁>NCV5705BDR2G>詳情

NCV5705BDR2G 集成電路（IC）柵極驅(qū)動(dòng)器 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

NCV5705BDR2G參考圖片

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：NCV5705BDR2G品牌：ON

進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨

NCV5705BDR2G是集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器。制造商ON/onsemi生產(chǎn)封裝NA/8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）的NCV5705BDR2G柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能，這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備（通常為 FET 或 IGBT）。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同，但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

  • 芯片型號(hào)：

    NCV5705BDR2G

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    15 頁

  • 文件大?。?/span>

    668.48 kb

  • 資料說明：

    High Current IGBT Gate Drivers

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NCV5705BDR2G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q100

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 驅(qū)動(dòng)配置：

    半橋

  • 通道類型：

    單路

  • 柵極類型：

    IGBT

  • 電壓 - 供電：

    20V（最大）

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    0，5V，4，5V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    4A，6A

  • 輸入類型：

    反相

  • 上升/下降時(shí)間（典型值）：

    9.2ns，7.9ns

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 125°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC

  • 描述：

    IGBT GATE DRIVERS, HIGH-CURRENT,

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市達(dá)恩科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張先生

  • 手機(jī)：

    17608451391

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23917962

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北新亞洲國(guó)利大廈1515

相近型號(hào)