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NCV5701CDR2G集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
NCV5701CDR2G |
參數(shù)屬性 | NCV5701CDR2G 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC |
功能描述 | High Current IGBT Gate Drivers |
封裝外殼 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
文件大小 |
336.11 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
20 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-6-8 18:00:00 |
人工找貨 | NCV5701CDR2G價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
NCV5701CDR2G規(guī)格書詳情
NCV5701CDR2G屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NCV5701CDR2G柵極驅(qū)動器柵極驅(qū)動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動的半導(dǎo)體配置相關(guān)。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
NCV5701CDR2G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 驅(qū)動配置:
高壓側(cè)或低壓側(cè)
- 通道類型:
單路
- 柵極類型:
IGBT
- 電壓 - 供電:
20V
- 邏輯電壓?- VIL,VIH:
0.75V,4.3V
- 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):
20mA,15mA
- 輸入類型:
反相
- 上升/下降時間(典型值):
9.2ns,7.9ns
- 工作溫度:
-40°C ~ 125°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝:
8-SOIC
- 描述:
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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