NCP5359AMNTBG_集成電路(IC) 柵極驅(qū)動(dòng)器-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號(hào):NCP5359AMNTBG品牌:onsemi

資料說明:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN

NCP5359AMNTBG是集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝8-VFDFN 裸露焊盤的NCP5359AMNTBG柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

  • 芯片型號(hào):

    ncp5359amntbg

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說明:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NCP5359AMNTBG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝:

    管件

  • 驅(qū)動(dòng)配置:

    半橋

  • 通道類型:

    同步

  • 柵極類型:

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    10V ~ 13.2V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    1V,2V

  • 輸入類型:

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間(典型值):

    16ns,15ns

  • 工作溫度:

    0°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-VFDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-DFN(2x2)

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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