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GT50J121

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

GT50J121

TOSHIBAInsulatedGateBipolarTransistorSiliconNChannelIGBT

HighPowerSwitchingApplications FastSwitchingApplications ?Fourth-generationIGBT ?Enhancementmodetype ?Fastswitching(FS):Operatingfrequencyupto50kHz(reference) ?Highspeed:tf=0.05μs(typ.) ?Lowswitchingloss:Eon=1.30mJ(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

GT50J121

SiliconNChannelIGBTHighPowerSwitchingApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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詳細參數(shù)

  • 型號:

    NCF50J121TRF

  • 制造商:

    NIC Components Corp

  • 功能描述:

    Res Carbon Film 120 Ohm 5% 1/2W -450ppm/C to 0ppm/C Conformal AXL Thru-Hole T/R

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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更多NCF50J121TRF供應(yīng)商 更新時間2024-11-18 13:30:00