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NCE65R900I

N-Channel Super Junction Power MOSFET ll

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

MMD65R900QRH

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=6.2mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MMD65R900QRH

650V0.90ohmN-channelMOSFET

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

NCE65R900

N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFETll

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

NCE65R900

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

NCE65R900D

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

NCE65R900D

N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFETll

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

NCE65R900F

N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFETll

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

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NCE65R900K

N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFETll

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

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更多NCE65R900I供應商 更新時間2025-3-23 13:01:00