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NCE60P02Y中文資料無錫新潔能股份數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào)	NCE60P02Y
功能描述	NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
文件大小	413.81 Kbytes
頁面數(shù)量	7 頁
生產(chǎn)廠商	Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱	NCEPOWER【無錫新潔能股份】
中文名稱	無錫新潔能股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間	2025-1-5 9:48:00

Description

The NCE60P02Y uses advanced trench technology and

design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This

device is well suited for use as a load switch or in PWM

applications.

General Features

● VDS =-60V,ID =-2A

RDS(ON) <160m? @ VGS=-10V

RDS(ON) <200m? @ VGS=-4.5V

● High density cell design for ultra low Rdson

● Fully characterized avalanche voltage and current

● Excellent package for good heat dissipation

Application

● Load switch

● PWM application

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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