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NCE2312	文件：293.9 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
NCE2312X	文件：323.88 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheNCE2312Xusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas1.8V.Thisdeviceissuitableforuseasa uni-directionalorbi-directionalloadswitch. GeneralFeatures ●VDS=20V,ID=6A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
NCE2312A	文件：282.36 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
NTE2312	文件：23.68 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNTransistorHighVoltage,HighSpeedSwitch Description: TheNTE2312isasiliconNPNtransistorinaTO220typepackagedesignedforhigh–voltage,high–speedpowerswitchinginductivecircuitswherefalltimeiscritical.Thisdeviceisparticularlysuitedfor115Vand220Vswitch–modeapplicationssuchasswitchingregulators,inverter	NTE NTE Electronics	NTE
NV2312A	文件：423.28 Kbytes Page：1 Pages	Heavycontactloadswitchingcurrentupto30A.	HUAXINANHuaXinAn Electronics CO.,LTD 華興安深圳市華興安電子有限公司	HUAXINAN
NV2312C	文件：423.28 Kbytes Page：1 Pages	Heavycontactloadswitchingcurrentupto30A.	HUAXINANHuaXinAn Electronics CO.,LTD 華興安深圳市華興安電子有限公司	HUAXINAN
PA2312	文件：134.27 Kbytes Page：9 Pages	LoPro??DualSPDTAnalogSwitch	PROTEC Protek Devices	PROTEC
PAM2312	文件：657.26 Kbytes Page：14 Pages	1ASTEP-DOWNDC-DCCONVERTER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
PAM2312	文件：411.89 Kbytes Page：14 Pages	1AStep-DownDC-DCConverter	PAM Diodes Incorporated	PAM
PAM2312AABADJ	文件：657.26 Kbytes Page：14 Pages	1ASTEP-DOWNDC-DCCONVERTER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
PB-2312	文件：48.07 Kbytes Page：1 Pages	Non-WashableType	SOBERTON Soberton Inc.	SOBERTON
PB-2312NL	文件：201.54 Kbytes Page：5 Pages	PBPIEZOAUDIOBUZZER	SOBERTON Soberton Inc.	SOBERTON
PT2312	文件：562 Kbytes Page：13 Pages	Digitalaudioprocessingcircuit	TITANShenzhen Titan Micro Electronics Co., Ltd. 天微電子深圳市天微電子有限公司	TITAN
PT2312	文件：158.46 Kbytes Page：4 Pages	4-ChannelAudioProcessor PT2312isafour-channeldigitalcontrolaudioprocessorutilizingCMOSTechnology.Volume,Bass,Balance,Front/RearFaderProcessor,SelectableInputGainareincorporatedintoasinglechiphavingthehighestperformanceandreliabilitywiththeleastexternalcomponents.Allfunctionsareprog	PTCPrinceton Technology Corporation 普誠普誠科技	PTC
PT2312E	文件：192 Kbytes Page：5 Pages	StereoAudioProcessorforCarAudio	PTCPrinceton Technology Corporation 普誠普誠科技	PTC
PT2312E	文件：179.89 Kbytes Page：5 Pages	StereoAudioProcessorforCarAudio DESCRIPTION ThePT2312Eisanaudioprocessordesignedforversatileapplication,includes4stereoinputselectorwith adjustablegain,mastervolumecontrolwithlowfrequencyloudnesscompensation,individualoutput attenuatorandtonecontrol.Itisagoodsolutionforthecaraudios	PTCPrinceton Technology Corporation 普誠普誠科技	PTC
PT2312E-S	文件：179.89 Kbytes Page：5 Pages	StereoAudioProcessorforCarAudio DESCRIPTION ThePT2312Eisanaudioprocessordesignedforversatileapplication,includes4stereoinputselectorwith adjustablegain,mastervolumecontrolwithlowfrequencyloudnesscompensation,individualoutput attenuatorandtonecontrol.Itisagoodsolutionforthecaraudios	PTCPrinceton Technology Corporation 普誠普誠科技	PTC
PT2312E-S	文件：192 Kbytes Page：5 Pages	StereoAudioProcessorforCarAudio	PTCPrinceton Technology Corporation 普誠普誠科技	PTC
RF2312	文件：306.26 Kbytes Page：16 Pages	LINEARGENERALPURPOSEAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF2312	文件：274.51 Kbytes Page：16 Pages	LINEARGENERALPURPOSEAMPLIFIER ProductDescription TheRF2312isageneralpurpose,lowcosthighlinearityRFamplifierIC.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process,andhasbeendesignedforuseasaneasilycascadable75Ωgainblock.Thegainflatnessof	RFMD RF Micro Devices	RFMD

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市美思瑞電子科技有限公司	NCE2312	NCE/新潔能	22+	SOT-23	9000	原裝正品，實(shí)單請聯(lián)系	詢價(jià)
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更多NCE2312供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-24 11:31:00

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