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NCE20NP1006S

N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheNCE20NP1006Susesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.The complementaryMOSFETsmaybeusedtoformalevelshifted highsideswitch,andforahostofotherapplications. GeneralFeatures ●N-Channel VDS=20V,ID=10A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

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更多NCE20NP1006S供應(yīng)商 更新時間2024-12-30 17:48:00

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