NAND512W3A2CZA6E_集成電路(IC) 存儲器-Micron Technology Inc.

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  • 廠家型號:

    NAND512W3A2CZA6E

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 庫存數(shù)量:

    0

  • 類別:

    集成電路(IC) 存儲器

  • 封裝外殼:

    63-TFBGA

  • 包裝:

    管件

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 更新時(shí)間:

    2024-11-2 13:44:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號:NAND512W3A2CZA6E品牌:Micron Technology Inc.

資料說明:IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA

NAND512W3A2CZA6E是集成電路(IC) > 存儲器。制造商Micron Technology Inc.生產(chǎn)封裝63-TFBGA的NAND512W3A2CZA6E存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號:

    nand512w3a2cza6e

  • 規(guī)格書:

    原廠下載 下載

  • 資料說明:

    IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    NAND512W3A2CZA6E

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    閃存 - NAND

  • 存儲容量:

    512Mb(64M x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    50ns

  • 電壓 - 供電:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    63-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    63-VFBGA(9x11)

  • 描述:

    IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST
24+
BGA
23000
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
詢價(jià)
Numonyx-ADIVISIONOFMICRO
2022
ICFLASH512MBIT63VFBGA
5058
原廠原裝正品,價(jià)格超越代理
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BGA
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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原裝正品,假一罰十
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2020+
BGA63
350000
100%進(jìn)口原裝正品公司現(xiàn)貨庫存
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STMicro
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只有原裝正品
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ST
6000
面議
19
DIP/SMD
詢價(jià)
ST
23+
BGA
20000
原廠原裝正品現(xiàn)貨
詢價(jià)
Numonyx/STMi
23+
63-VFBGA
65480
詢價(jià)