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NAND512R3A2CZA6E集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

NAND512R3A2CZA6E
廠商型號(hào)

NAND512R3A2CZA6E

參數(shù)屬性

NAND512R3A2CZA6E 封裝/外殼為63-TFBGA;包裝為管件;類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA

功能描述

512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

封裝外殼

63-TFBGA

文件大小

674.58 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

51 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-26 23:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NAND512R3A2CZA6E

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲(chǔ)器類型:

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    閃存 - NAND

  • 存儲(chǔ)容量:

    512Mb(64M x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    50ns

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    63-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    63-VFBGA(9x11)

  • 描述:

    IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
MRON/美光
23+
NA/
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優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票
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STM
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免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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STM
22+
BGA
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原裝正品現(xiàn)貨
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ST/意法
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BGA
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23+/24+
63-TFBGA
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只供原裝進(jìn)口公司現(xiàn)貨+可訂貨
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STMICRO
24+
1257
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NUMONYX
24+
BGA
204
原裝現(xiàn)貨假一賠十
詢價(jià)