NAND08GW3D2AN6E 集成電路（IC）存儲器 NUYX

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廠家型號：
NAND08GW3D2AN6E
產(chǎn)品分類：
集成電路（IC） > 存儲器
生產(chǎn)廠商：
NUYX
庫存數(shù)量：
6527
產(chǎn)品封裝：
48TSOP
生產(chǎn)批號：
24+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2024-11-2 15:20:00

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原廠料號：NAND08GW3D2AN6E品牌：NUYX

原裝現(xiàn)貨

NAND08GW3D2AN6E是集成電路（IC） > 存儲器。制造商NUYX/Micron Technology Inc.生產(chǎn)封裝48TSOP/48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）的NAND08GW3D2AN6E存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

芯片型號：
NAND08GW3D2AN6E
規(guī)格書：
下載下載2
資料說明：
IC FLASH 8GBIT 48TSOP

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
NAND08GW3D2AN6E
制造商：
Micron Technology Inc.
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
管件
存儲器類型：
非易失
存儲器格式：
閃存
技術：
閃存 - NAND
存儲容量：
8Gb（1G x 8）
存儲器接口：
并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁：
25ns
電壓 - 供電：
2.7V ~ 3.6V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）
供應商器件封裝：
48-TSOP
描述：
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP

供應商

企業(yè)：
深圳市興燦科技有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
劉先生
手機：
15813871883
詢價：
電話：
0755-23942131
地址：
深圳市福田區(qū)華強北街道振興路新欣大廈B座5樓585室

NAND08GW3D2AN6E 集成電路（IC）存儲器 NUYX

NAND08GW3D2AN6E

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