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NAND01GW3B2AN6E

Package：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

NAND01GW3B2AN6

1Gbit,2Gbit,2112Byte/1056WordPage,1.8V/3V,NANDFlashMemory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    NAND01GW3B2AN6E

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    閃存 - NAND

  • 存儲容量：

    1Gb（128M x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    30ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    48-TSOP

  • 描述：

    IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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一級代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
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更多NAND01GW3B2AN6E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-22 12:38:00

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