NAND01GW3A0AN6E 集成電路（IC）存儲器 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

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廠家型號：
NAND01GW3A0AN6E
產(chǎn)品分類：
集成電路（IC） > 存儲器
生產(chǎn)廠商：
ST
庫存數(shù)量：
9000
產(chǎn)品封裝：
48TSOP
生產(chǎn)批號：
22+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-1-7 15:41:00

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原廠料號：NAND01GW3A0AN6E品牌：ST

原廠渠道,現(xiàn)貨配單

NAND01GW3A0AN6E是集成電路（IC） > 存儲器。制造商ST/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝48TSOP/48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）的NAND01GW3A0AN6E存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

芯片型號：
NAND01GW3A0AN6E
規(guī)格書：
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企業(yè)簡稱：
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情
廠商全稱：
STMicroelectronics
中文名稱：
意法半導(dǎo)體集團(tuán)
內(nèi)容頁數(shù)：
57 頁
文件大小：
916.59 kb
資料說明：
128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
NAND01GW3A0AN6E
制造商：
STMicroelectronics
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
管件
存儲器類型：
非易失
存儲器格式：
閃存
技術(shù)：
閃存 - NAND
存儲容量：
1Gb（128M x 8）
存儲器接口：
并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁：
30ns
電壓 - 供電：
2.7V ~ 3.6V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：
48-TSOP
描述：
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP

供應(yīng)商

企業(yè)：
深圳市河鋒鑫科技有限公司
商鋪：
進(jìn)入商鋪
聯(lián)系人：
楊佳河
手機(jī)：
13652326683
詢價：
電話：
13652326683
地址：
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)華強(qiáng)北路1078號現(xiàn)代之窗A座、B座A座9D

NAND01GW3A0AN6E 集成電路（IC）存儲器 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

NAND01GW3A0AN6E

產(chǎn)品屬性

供應(yīng)商

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