首頁>NAND01GR3B2BZA6E>詳情

NAND01GR3B2BZA6 集成電路（IC）存儲器 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    NAND01GR3B2BZA6

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

  • 庫存數(shù)量：

    20000

  • 產(chǎn)品封裝：

    BGA

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2024-11-5 19:00:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：NAND01GR3B2BZA6品牌：ST

原廠原裝正品現(xiàn)貨

  • 芯片型號：

    NAND01GR3B2BZA6

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    64 頁

  • 文件大?。?/span>

    631.49 kb

  • 資料說明：

    1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NAND01GR3B2BZA6E

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    閃存 - NAND

  • 存儲容量：

    1Gb（128M x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    30ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    63-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    63-VFBGA（9x11）

  • 描述：

    IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市華睿芯科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張經(jīng)理

  • 手機(jī)：

    18675544552

  • 詢價：
  • 電話：

    18675544552

  • 地址：

    深圳市福田中航路都會100大廈B座10Q

相近型號