訂購(gòu)數(shù)量 | 價(jià)格 |
---|---|
1+ |
首頁(yè)>N21C21ASNDT3G>芯片詳情
N21C21ASNDT3G 集成電路(IC)存儲(chǔ)器 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書(shū)下載
原廠料號(hào):N21C21ASNDT3G品牌:onsemi
只供原裝進(jìn)口公司現(xiàn)貨+可訂貨
N21C21ASNDT3G是集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器。制造商onsemi生產(chǎn)封裝TO-236/TO-236-3,SC-59,SOT-23-3的N21C21ASNDT3G存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
N21C21ASNDT3G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 存儲(chǔ)器類型:
非易失
- 存儲(chǔ)器格式:
EPROM
- 技術(shù):
EPROM - OTP
- 存儲(chǔ)容量:
1Kb(128 x 8)
- 存儲(chǔ)器接口:
1-Wire?
- 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):
5μs
- 電壓 - 供電:
2.65V ~ 5.5V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT-23-3
- 描述:
IC EPROM 1KBIT 1-WIRE SOT23-3
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市諾美思科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
Eva
- 手機(jī):
13828790990
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-82811187
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道深紡大廈B座1503
相近型號(hào)
- N2200-4
- N219363
- N219317
- N2201
- N219271
- N2202
- N2191ML180
- N2205V
- N2191ML160
- N2206
- N218BA1-8.000MHZTR
- N220904
- N218BA1-8.000MHZT&R
- N220950
- N218949
- N220973
- N218811
- N220996
- N218765
- N2209M
- N218673
- N2211
- N2186200
- N2211102
- N2186000
- N2211IC
- N2185900
- N2185600
- N221BI
- N2185300
- N222169
- N2185200
- N222215
- N2184900
- N2222A
- N218420
- N222D
- N218328
- N223089
- N218305
- N223181
- N218282
- N223687
- N21811
- N223710
- N217914
- N223733
- N217776
- N224-1-20-2-45-H0
- N217684