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MURHS160T3G	文件：62.61 Kbytes Page：5 Pages	PowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
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MURS160T3	文件：93.87 Kbytes Page：10 Pages	Low-Cost100mAHigh-VoltageBuckandBuck-BoostUsingNCP1052	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MURS160T3	文件：80.4 Kbytes Page：6 Pages	SurfaceMountUltrafastPowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MURS160T3	文件：112.02 Kbytes Page：4 Pages	ULTRAFASTRECTIFIERS1.0AMPERE200-600VOLTS SurfaceMountUltrafastPowerRectifiers Ideallysuitedforhighvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheelingandprotectiondiodesinsurfacemountapplicationswherecompactsizeandweightarecriticaltothesystem. ?SmallCompactSurfaceMountablePackagewithJ–BendLeads ?	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MURS160T3	文件：114.12 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountUltrafastPowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
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MURS160T3G	文件：117.97 Kbytes Page：6 Pages	SurfaceMountUltrafastPowerRectifiers Ideallysuitedforhighvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheelingandprotectiondiodesinsurfacemountapplicationswherecompactsizeandweightarecriticaltothesystem. Features ?SmallCompactSurfaceMountablePackagewithJ?BendLeads ?RectangularPackageforA	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MURS160T3G	文件：623.76 Kbytes Page：33 Pages	2.5Amaximumpeakoutputcurrent	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安華高	AVAGO
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MURS160T3G	文件：8.93523 Mbytes Page：28 Pages	45WAuxiliaryPowerSupplyforWhiteGoodsandIndustrialEquipmentwithNCP11187A65	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MURS160T3G	文件：195.66 Kbytes Page：6 Pages	PowerRectifier,Ultra-FastRecovery,1A,50-600V Features ?SmallCompactSurfaceMountablePackagewithJ?BendLeads ?RectangularPackageforAutomatedHandling ?HighTemperatureGlassPassivatedJunction ?LowForwardVoltageDrop(0.71to1.05VMax@1.0A,TJ=150°C) ?NRVUSandSURS8PrefixesforAutomotiveandOtherApplications	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NRVBA160T3G	文件：177.38 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifierSMAPowerSurfaceMountPackage ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal?to?siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,or asfreewheelingandpol	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI

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更多MURA160T3G-CUTTAPE供應商更新時間2025-1-3 11:01:00

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