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MTV10N100E

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTV10N100E

TMOS POWER FET 10 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.3 OHM

TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistorD3PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD3PAKpackagehasthecapabilityofhousingthelargestchipsizeofanystandard,plastic,surfacemountpowersemiconductor.Thisallowsittobeusedinapplicationsthatrequiresurfa

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTV10N100E

Power Field Effect Transistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTW10N100E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTW10N100E

N??hannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTW10N100E

TMOSPOWERFET10AMPERES1000VOLTSRDS(on)=1.3OHM

TMOSE?FETPowerFieldEffectTransistorTO-247withIsolatedMountingHole N?ChannelEnhancement?ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMO

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTY10N100E

TMOSPOWERFET10AMPERES1000VOLTSRDS(on)=1.3OHM

TMOSE-FETPowerEieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhi

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

RM10N100LD

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

GeneralFeatures Vos=100Vl0=10A Rosin)

RECTRON

Rectron Semiconductor

SFF10N100B

10AMP/1000Volts1.2ohmN-ChannelPowerMOSFET

SSDI

Solid States Devices, Inc

SFF10N100M

10AMP/1000Volts1.2ohmN-ChannelPowerMOSFET

SSDI

Solid States Devices, Inc

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    MTV10N100E

  • 制造商：

    MOTOROLA

  • 制造商全稱：

    Motorola, Inc

  • 功能描述：

    TMOS POWER FET 10 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.3 OHM

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
24+
N/A
4810
詢價(jià)
ON/安森美
23+
3P-
15752
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種
 詢價(jià)
MOT
10+
TO-268
100
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
MOT
TO-268
699839
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
 詢價(jià)
MOT
589220
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
 詢價(jià)
NXP/恩智浦
2324+
NA
78920
二十余載金牌老企,研究所優(yōu)秀合供單位,您的原廠窗口
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MOT/ON
23+
SMD
8650
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MOT/ON
24+
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990000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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MOT
23+
TO-268
100
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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23+
TO-268
10000
原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
更多MTV10N100E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-28 14:00:00

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