MTP3N55中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
MTP3N55 |
| 功能描述 | Power Field Effect Transistor |
| 文件大小 |
125.02 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
3 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱(chēng) | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2024-10-24 22:50:00 |
MTP3N55規(guī)格書(shū)詳情
Power Field Effect Transistor
N-Channel Enhancement-Mode
Silicon Gate TWOS
These TMOS Power FETs are designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers.
? Silicon Gate for Fast Switching Speeds — Switching Times
Specified at 100°C
? Designers Data — IDSS- VGS(on)- VGS(th) and SOA Specified
at Elevated Temperature
? Rugged — SOA is Power Dissipation Limited
? Source-to-Drain Diode Characterized for Use With Inductive Loads
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
MTP3N55
- 功能描述：
HIGH VOLTAGE POWER MOSFET N-CHANNEL
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
NA |
20000 |
全新原裝假一賠十 |
詢(xún)價(jià) | ||
MOTOROLA/摩托羅拉 |
24+ |
TO-220 |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
SGS |
88+ |
TO-220 |
125 |
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢(xún)價(jià) | ||
SGS |
2228+ |
TO-220 |
12716 |
一級(jí)代理/分銷(xiāo)渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品 |
詢(xún)價(jià) | ||
MOTOROLA/摩托羅拉 |
22+ |
TO-220 |
9000 |
原裝正品 |
詢(xún)價(jià) | ||
sgs |
24+ |
N/A |
6980 |
原裝現(xiàn)貨,可開(kāi)13%稅票 |
詢(xún)價(jià) | ||
ST |
23+ |
TO-220 |
18689 |
詢(xún)價(jià) | |||
ON |
TO-220 |
699839 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢(xún)價(jià) | |||
ON |
23+ |
TO-220 |
112 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢(xún)價(jià) | ||
ON |
24+ |
N/A |
2540 |
詢(xún)價(jià) |
