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MTP3506W	文件：603.04 Kbytes Page：3 Pages	Glass Passivated Triple-Phase Bridge Rectifier	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導(dǎo)體尼爾半導(dǎo)體股份有限公司	NELLSEMI
NMF3506	文件：48.41 Kbytes Page：6 Pages	MiniBuckConverterforRFPowerAmplifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NSA3506A	文件：611.15 Kbytes Page：1 Pages	TemperatureCompensatedCrystalOscillator	NDKNIHON DEMPA KOGYO 金屬工業(yè)日本金屬工業(yè)株式會(huì)社公司	NDK
NSA3506B	文件：611.15 Kbytes Page：1 Pages	TemperatureCompensatedCrystalOscillator	NDKNIHON DEMPA KOGYO 金屬工業(yè)日本金屬工業(yè)株式會(huì)社公司	NDK
NSA3506C	文件：611.15 Kbytes Page：1 Pages	TemperatureCompensatedCrystalOscillator	NDKNIHON DEMPA KOGYO 金屬工業(yè)日本金屬工業(yè)株式會(huì)社公司	NDK
NSA3506D	文件：611.15 Kbytes Page：1 Pages	TemperatureCompensatedCrystalOscillator	NDKNIHON DEMPA KOGYO 金屬工業(yè)日本金屬工業(yè)株式會(huì)社公司	NDK
P3506DD	文件：477.02 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
P3506DT	文件：941 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
P3506ED	文件：245.81 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. 尼克森尼克森微電子股份有限公司	NIKOSEM
P3506ED	文件：353.86 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=-27A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=35mΩ(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
P3506ES	文件：216.33 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. 尼克森尼克森微電子股份有限公司	NIKOSEM
P3506ES	文件：333.26 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=-41A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=35mΩ(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
P3506ET	文件：205.07 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. 尼克森尼克森微電子股份有限公司	NIKOSEM
P3506ET	文件：326.38 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=-36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=35mΩ(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
P3506ETF	文件：205.8 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. 尼克森尼克森微電子股份有限公司	NIKOSEM
P3506ETF	文件：324.13 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=-21A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=35mΩ(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
PB3506	文件：98.04 Kbytes Page：5 Pages	EnhancedisoCinkTMBridgeRectifiers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
PB3506	文件：94.02 Kbytes Page：5 Pages	EnhancedPowerBridgeRectifiers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
PB3506	文件：147.13 Kbytes Page：5 Pages	EnhancedisoCink??BridgeRectifiers FEATURES ?ULrecognitionfilenumberE312394(QQQX2) UL1557(see*) ?Enhancedhigh-currentdensitysinglein-line package ?Superiorthermalconductivity ?Glasspassivatedchipjunction ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompli	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
PB3506	文件：2.77351 Mbytes Page：3 Pages	BridgeRectifiers Features ULrecognition,file#￡230084 Glasspassivatedchipjunction Thinsinglein-linepackage Highsurgecurrentcapability Solderdip275°Cmax.7s,perJESD22-B106	RFERFE international RFE國際公司RFE國際股份有限公司	RFE

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	MTP35N06E		24+	N/A	2820		詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	MTP35N06E	MOT	06+	TO-220	3000	原裝庫存	詢價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	MTP35N06E	ON	23+	TO-220	6893		詢價(jià)
深圳市利加科技有限公司	MTP35N06E	ON	16+	TO-220	10000	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市鑫宇楊電子科技有限公司	MTP35N06E	ON	2020+	TO-220	35000	100%進(jìn)口原裝正品公司現(xiàn)貨庫存	詢價(jià)
深圳市錦喆鴻電子有限公司	MTP35N06E	ON	21+	TO-220	12588	原裝正品	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	MTP35N06E	ON	2023+	TO220	80000	一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	MTP35N06E	CET/華瑞	23+	TO-263	69820	終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!	詢價(jià)
深圳市億智騰科技有限公司	MTP35N06E	ON	24+	TO-220	6430	原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢	詢價(jià)
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	MTP35N06E	ON/安森美	23+	TO-220	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)

更多MTP3506W供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-13 16:00:00

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