MTP3055VL中文資料摩托羅拉數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
MTP3055VL規(guī)格書(shū)詳情
TMOS V? Power Field Effect Transistor
N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate
TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on)= 0.18 OHM
TMOSV is a new technologydesigned to achieve an on–resistance area product about one–half that of standard MOSFETs. This new technology more than doubles the present cell density ofour
50 and 60 volt TMOS devices. Just as with our TMOSE–FET designs, TMOSV is designed to with stand high energy in the avalanche and commutation modes.
New Features of TMOS V
? On–resistance Area Product about One–half that of Standard
MOSFETs with New Low Voltage, Low RDS(on)Technology
? Faster Switching than E–FET Predecessors
Features Common to TMOS V and TMOS E–FETS
? Avalanche Energy Specified
? IDSSand VDS(on)Specified at Elevated Temperature
? Static Parameters are the Same for both TMOS V and TMOS E–FET
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
MTP3055VL
- 功能描述：
MOSFET 60V Single N-Ch
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor |
2022+ |
原廠原包裝 |
6800 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo) |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
24+ |
NA |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-220 |
60620 |
2382 |
詢價(jià) | ||
hmsemi |
2023+ |
TO-220 |
80000 |
一級(jí)代理/分銷(xiāo)渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||
onsemi(安森美) |
23+ |
TO220AB3 |
6000 |
誠(chéng)信服務(wù)，絕對(duì)原裝原盤(pán) |
詢價(jià) | ||
ON |
2023+ |
TO-220 |
8800 |
正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-220 |
101389 |
詢價(jià) | |||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO220F |
6850 |
只做原廠原裝正品現(xiàn)貨!假一賠十! |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD |
24+ |
原封裝 |
2400 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
MOT |
23+ |
NA |
20000 |
全新原裝假一賠十 |
詢價(jià) |
