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MTM55N10中文資料摩托羅拉數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

MTM55N10
廠商型號(hào)

MTM55N10

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

192.63 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Motorola摩托羅拉

中文名稱

加爾文制造公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-28 17:18:00

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MTM55N10規(guī)格書(shū)詳情

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

These TMOS Power FETs are designed for low voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers.

? Silicon Gate for Fast Switching Speeds — Switching Times Specified at 100°C

? Designers Data — IDSS, VDS(on), VGS(th) and SOA Specified at Elevated Temperature

? Rugged — SOA is Power Dissipation Limited

? Source-to-Drain Diode Characterized for Use With Inductive Loads

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    MTM55N10

  • 制造商:

    MOTOROLA

  • 制造商全稱:

    Motorola, Inc

  • 功能描述:

    N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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