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MTH8N90中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MTH8N90
廠商型號

MTH8N90

功能描述

Power Field Effect Transistor

文件大小

89.18 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-4-9 17:40:00

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MTH8N90規(guī)格書詳情

Power Field Effect Transistor

N-Channel Enhancement-Mode

Silicon Gate TMOS

These TMOS Power FETs are designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers.

? Silicon Gate for Fast Switching Speeds — Switching Times Specified at 100C

? Designers Data — IDSS, VDS(on). VGS(th) and SOA Specified at Elevated Temperature

? SOA is Power Dissipation Limited

? Source-to-Drain Diode Characterized for Use With Inductive Loads

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MTH8N90

  • 制造商:

    MOTOROLA

  • 制造商全稱:

    Motorola, Inc

  • 功能描述:

    POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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