MTH8N90中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
MTH8N90 |
功能描述 | Power Field Effect Transistor |
文件大小 |
89.18 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
2 頁 |
生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
企業(yè)簡稱 |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-4-9 17:40:00 |
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MTH8N90規(guī)格書詳情
Power Field Effect Transistor
N-Channel Enhancement-Mode
Silicon Gate TMOS
These TMOS Power FETs are designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers.
? Silicon Gate for Fast Switching Speeds — Switching Times Specified at 100C
? Designers Data — IDSS, VDS(on). VGS(th) and SOA Specified at Elevated Temperature
? SOA is Power Dissipation Limited
? Source-to-Drain Diode Characterized for Use With Inductive Loads
產(chǎn)品屬性
- 型號:
MTH8N90
- 制造商:
MOTOROLA
- 制造商全稱:
Motorola, Inc
- 功能描述:
POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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ON |
23+ |
TO-218 |
6893 |
詢價(jià) | |||
Xsens |
24+ |
kaifa |
421 |
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詢價(jià) | ||
ONSEMI |
25+ |
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