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MTD6N15T4

Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MTD6N15T4G

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?175°CJunctionTemperature ?PWMOptimized ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PrimarySideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

MTD6N15T4G

N??hannel Enhancement??ode Silicon Gate

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    MTD6N15T4

  • 功能描述：

    MOSFET 150V 6A N-Channel

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON/安森美
24+
DPAK
2500
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
ON/安森美
24+
TO-252
505348
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價
24+
5000
公司存貨
 詢價
ONSEMICONDU
24+
原封裝
3768
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
ON
2020+
SOT252
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百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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更多MTD6N15T4供應(yīng)商 更新時間2025-2-10 16:36:00

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