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MT53E384M32D2DS-046 AIT:E TR_集成電路（IC） 存儲器-Micron Technology Inc.

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2000+
  • 廠家型號：

    MT53E384M32D2DS-046 AIT:E TR

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 庫存數量：

    0

  • 類別：

    集成電路（IC） 存儲器

  • 封裝外殼：

    200-WFBGA

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 更新時間：

    2024-11-14 10:02:00

  • 詳細信息
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原廠料號：MT53E384M32D2DS-046 AIT:E TR品牌：Micron Technology Inc.

資料說明：IC DRAM 12GBIT 2.133GHZ 200WFBGA

MT53E384M32D2DS-046 AIT:E TR是集成電路（IC） > 存儲器。制造商Micron Technology Inc.生產封裝200-WFBGA的MT53E384M32D2DS-046 AIT:E TR存儲器存儲器是集成電路上用作數據存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    mt53e384m32d2ds-046%20ait:e%20tr

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    下載

  • 資料說明：

    IC DRAM 12GBIT 2.133GHZ 200WFBGA

產品屬性

  • 類型

    描述

  • 產品編號：

    MT53E384M32D2DS-046 AIT

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q100

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    DRAM

  • 技術：

    SDRAM - Mobile LPDDR4

  • 存儲容量：

    12Gb（384M x 32）

  • 電壓 - 供電：

    1.1V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 95°C（TC）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    200-WFBGA

  • 供應商器件封裝：

    200-WFBGA（10x14.5）

  • 描述：

    IC DRAM 12GBIT 2.133GHZ 200WFBGA

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Micron
99
詢價
Micron
19+
BGA
664
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
Micron
2022+
原廠原包裝
8600
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
Micron
2023+
200WFBGA
4020
安羅世紀電子只做原裝正品貨
 詢價
Micron
23+
原裝正品現(xiàn)貨
10000
BGA
 詢價
Micron Technology Inc
23+/24+
200-WFBGA
8600
只供原裝進口公司現(xiàn)貨+可訂貨
 詢價
Micron Technology Inc.
24+
200-WFBGA
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經營 免費試樣正品保證
 詢價
Micron Technology Inc.
21+
NA
11200
正品專賣,進口原裝深圳現(xiàn)貨
 詢價
Micron
21+
25000
原廠原包 深圳現(xiàn)貨 主打品牌 假一賠百 可開票!
 詢價
Micron Technology Inc.
23+
200-WFBGA
3800
原裝正品 正規(guī)報關 可開增值稅票
 詢價

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