訂購數(shù)量 | 價(jià)格 |
---|---|
1+ |
- 廠家型號(hào):
MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E TR
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 庫存數(shù)量:
0
- 類別:
- 封裝外殼:
200-WFBGA
- 包裝:
卷帶(TR)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 更新時(shí)間:
2021-9-14 10:50:00
首頁>熱銷型號(hào)第6931頁>MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E TR>詳情
訂購數(shù)量 | 價(jià)格 |
---|---|
1+ |
Micron Technology Inc.
0
200-WFBGA
卷帶(TR)
表面貼裝型
2021-9-14 10:50:00
原廠料號(hào):MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E TR品牌:Micron Technology Inc.
資料說明:IC DRAM 16GBIT 2133MHZ 200WFBGA
MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E TR是集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器。制造商Micron Technology Inc.生產(chǎn)封裝200-WFBGA的MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E TR存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
mt53d512m32d2np-046%20wt%20es:e%20tr
IC DRAM 16GBIT 2133MHZ 200WFBGA
描述
MT53D512M32D2NP-046 WT ES
Micron Technology Inc.
集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器
卷帶(TR)
易失
DRAM
SDRAM - Mobile LPDDR4
16Gb(512M x 32)
1.1V
-30°C ~ 85°C(TC)
表面貼裝型
200-WFBGA
200-WFBGA(10x14.5)
IC DRAM 16GBIT 2133MHZ 200WFBGA
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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MICRON |
20+ |
IC |
1001 |
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詢價(jià) | ||
Micron |
2022+ |
原廠原包裝 |
8600 |
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詢價(jià) | ||
Micron Technology Inc. |
21+ |
54-TFBGA |
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Micron Technology Inc. |
21+ |
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Micron |
21+ |
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Micron |
2023+ |
200WFBGA |
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Micron Technology Inc |
23+/24+ |
200-WFBGA |
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只供原裝進(jìn)口公司現(xiàn)貨+可訂貨 |
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Micron Technology Inc. |
24+ |
200-WFBGA |
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