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MT40A1G8WE-083E AAT:B TR_集成電路（IC） 存儲器-Micron Technology Inc.

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  • 廠家型號：

    MT40A1G8WE-083E AAT:B TR

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 庫存數(shù)量：

    0

  • 類別：

    集成電路（IC） 存儲器

  • 封裝外殼：

    78-TFBGA

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 更新時間：

    2024-11-9 8:30:00

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原廠料號：MT40A1G8WE-083E AAT:B TR品牌：Micron Technology Inc.

資料說明：IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA

MT40A1G8WE-083E AAT:B TR是集成電路（IC） > 存儲器。制造商Micron Technology Inc.生產(chǎn)封裝78-TFBGA的MT40A1G8WE-083E AAT:B TR存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    mt40a1g8we-083e%20aat:b%20tr

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  • 資料說明：

    IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    MT40A1G8WE-083E AAT

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q100

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM - DDR4

  • 存儲容量：

    8Gb（1G x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    1.14V ~ 1.26V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 105°C（TC）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    78-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    78-FBGA（8x12）

  • 描述：

    IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Micron
17+
BGA
6200
詢價
MICRON
19+
FBGA
85839
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；
 詢價
MICRON
2021+
BGA
5342
原裝正品假一罰十
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MICROCH
22+23+
BGA
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絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨
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FBGA
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原裝正品
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MICRON
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FBGA
200000
原裝正品現(xiàn)貨,可開13點稅
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MICRON
20+
FBGA-78
6600
原裝現(xiàn)貨,特價出售。
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MICRON
20+
BGA
19570
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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Micron
2020+
FBGA-78
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
 詢價

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