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MT3S111TU分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MT3S111TU
廠商型號(hào)

MT3S111TU

參數(shù)屬性

MT3S111TU 封裝/外殼為3-SMD,扁平引線;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N

功能描述

VHF-UHF Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Application

封裝外殼

3-SMD,扁平引線

文件大小

162.64 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-22 16:41:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MT3S111TU,LF

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    6V

  • 頻率 - 躍遷:

    10GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz

  • 增益:

    12.5dB

  • 功率 - 最大值:

    800mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 30mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    3-SMD,扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    UFM

  • 描述:

    RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
TOSHIBA
SOT-23
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