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MT3S111TU 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 TOSHIBA/東芝

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  • 廠家型號(hào)：

    MT3S111TU

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    TOSHIBA

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    500

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT-23

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    17PB

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-5-7 15:49:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：MT3S111TU品牌：TOSHIBA

普通

  • 芯片型號(hào)：

    MT3S111TU

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    TOSHIBA【東芝】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    Toshiba Semiconductor

  • 中文名稱(chēng)：

    株式會(huì)社東芝

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    73 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    1582.74 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Bipolar Small-Signal Transistors

產(chǎn)品參考屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MT3S111TU,LF

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類(lèi)型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    6V

  • 頻率 - 躍遷：

    10GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：

    0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz

  • 增益：

    12.5dB

  • 功率 - 最大值：

    800mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    200 @ 30mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    100mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    3-SMD，扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    UFM

  • 描述：

    RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市澳億芯電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李先生★★原廠授權(quán)一級(jí)分銷(xiāo)★★

  • 手機(jī)：

    13760200702

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    13760200702

  • 地址：

    深圳市龍崗區(qū)坂田街道五和大道山海大廈C-707

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