MT3S111P分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MT3S111P |
| 參數(shù)屬性 | MT3S111P 封裝/外殼為TO-243AA；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI |
| 功能描述 | VHF-UHF Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications |
| 封裝外殼 | TO-243AA |
| 文件大小 |
169.96 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Toshiba Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
TOSHIBA【東芝】 |
| 中文名稱 | 株式會(huì)社東芝官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-22 16:10:00 |
| 人工找貨 | MT3S111P價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MT3S111P(TE12L,F)
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
6V
- 頻率 - 躍遷：
8GHz
- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：
1.25dB @ 1GHz
- 增益：
10.5dB
- 功率 - 最大值：
1W
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 30mA，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
100mA
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-243AA
- 供應(yīng)商器件封裝：
PW-MINI
- 描述：
RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA 光耦 集成電路 |
Original 元件 |
原廠原封 |
10050 |
TOSHIBA現(xiàn)貨原裝△-更多數(shù)量咨詢樣品批量支持;詳詢 |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA |
SOT-89 |
39000 |
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詢價(jià) | |||
SK |
22+ |
SOT-89 |
42300 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA |
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TOS |
10+ |
SOT-89 |
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SOT-89 |
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詢價(jià) |
