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MT29F6T08ETHBBM5-3RES:B TR_集成電路（IC） 存儲器-Micron Technology Inc.

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  • 廠家型號：

    MT29F6T08ETHBBM5-3RES:B TR

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 庫存數(shù)量：

    0

  • 類別：

    集成電路（IC） 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 更新時間：

    2024-12-29 10:30:00

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原廠料號：MT29F6T08ETHBBM5-3RES:B TR品牌：Micron Technology Inc.

資料說明：IC FLASH 6TB PARALLEL 333MHZ

MT29F6T08ETHBBM5-3RES:B TR是集成電路（IC） > 存儲器。制造商Micron Technology Inc.生產(chǎn)封裝的MT29F6T08ETHBBM5-3RES:B TR存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    mt29f6t08ethbbm5-3res:b%20tr

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  • 資料說明：

    IC FLASH 6TB PARALLEL 333MHZ

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    MT29F6T08ETHBBM5-3RES

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    閃存 - NAND

  • 存儲容量：

    6Tb（768G x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    2.5V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 描述：

    IC FLASH 6TB PARALLEL 333MHZ

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Micron
22+
9000
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21+
13880
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本公司只售原裝 支持實單
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原裝正品，支持實單
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