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MSP4435W

-30V(D-S) P-Channel Enhancement Mode Power MOS FET

MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited

摩矽半導(dǎo)體摩矽半導(dǎo)體有限公司

MT4435

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

MT4435ACTR

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

MT4435BDY

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

NCE4435

NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

NCE4435

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

NCE4435B

NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE4435Busesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas4.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications. GeneralFeatures ●VDS=-30V,ID=-12A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

NCE4435X

NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE4435Xusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas4.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications. GeneralFeatures ●VDS=-30V,ID=-10A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

PD4435

Lead(Pb)FreeProduct-RoHSCompliant

OSRAMOSRAM GmbH

艾邁斯歐司朗歐司朗光電半導(dǎo)體

PD4435

4-Character5x7DotMatrixAlphanumericProgrammableDisplay??withBuilt-inCMOSControlFunctions

DESCRIPTION TheseProgrammableDisplaysarefourdigitdisplaysystemmodules.Thecharactersare0.20by0.14(PD243X),0.27by0.20(PD353X),and0.45by0.27(PD443X)5x7dotmatrixarraysconstructedwiththelatestsolidstatetechnologyinlightemittingdiodes. FEATURES ?FourDotMa

OSRAMOSRAM GmbH

艾邁斯歐司朗歐司朗光電半導(dǎo)體

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更多MSP4435W供應(yīng)商 更新時間2025-3-31 14:01:00

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