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MSN6504D	文件：794.12 Kbytes Page：5 Pages	650V(D-S) N-Channel Enhancement Mode Power MOS FET	MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited 摩矽半導(dǎo)體摩矽半導(dǎo)體有限公司	MORESEMI
MSN6504F	文件：658.12 Kbytes Page：5 Pages	650V(D-S)N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited 摩矽半導(dǎo)體摩矽半導(dǎo)體有限公司	MORESEMI
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N6504NZ	文件：303.85 Kbytes Page：8 Pages	N-channelMOSFET650V,5.5A,2.1? Description TheN6504NZisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance RDS(on)=2.1?MAX.(VGS=10V,ID=2.75A) ?Lowinputcapacitance Ciss=950pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) ?Highcurrent ID(DC)=±5.5	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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NX6504	文件：336.5 Kbytes Page：13 Pages	LASERDIODE 1550nmFOR156Mb/s,622Mb/s InGaAsPMQW-DFBLASERDIODE DESCRIPTION TheNX6504Seriesisa1550nmMultipleQuantumWell(MQW)structured DistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD.This deviceisidealforSynchronousDigitalHierarchy(SDH)system,STM-1,STM-	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NX6504GH	文件：336.5 Kbytes Page：13 Pages	LASERDIODE 1550nmFOR156Mb/s,622Mb/s InGaAsPMQW-DFBLASERDIODE DESCRIPTION TheNX6504Seriesisa1550nmMultipleQuantumWell(MQW)structured DistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD.This deviceisidealforSynchronousDigitalHierarchy(SDH)system,STM-1,STM-	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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NX6504SH	文件：336.5 Kbytes Page：13 Pages	LASERDIODE 1550nmFOR156Mb/s,622Mb/s InGaAsPMQW-DFBLASERDIODE DESCRIPTION TheNX6504Seriesisa1550nmMultipleQuantumWell(MQW)structured DistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD.This deviceisidealforSynchronousDigitalHierarchy(SDH)system,STM-1,STM-	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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P6504	文件：463.33 Kbytes Page：1 Pages	HALFBRIDGELLCRESONANTTRANSFORMER	MPSINDMPS Industries, Inc. 美國(guó)芯源	MPSIND
PT6504	文件：291.1 Kbytes Page：7 Pages	8AMPADJUSTABLEISRWITHSHORT-CIRCUITPROTECTION	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI

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