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MSN0603Y	文件：706.47 Kbytes Page：6 Pages	60V(D-S) N-Channel Enhancement Mode Power MOS FET	MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited 摩矽半導(dǎo)體摩矽半導(dǎo)體有限公司	MORESEMI
MSN0603Y-SOT89	文件：706.47 Kbytes Page：6 Pages	60V(D-S) N-Channel Enhancement Mode Power MOS FET	MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited 摩矽半導(dǎo)體摩矽半導(dǎo)體有限公司	MORESEMI
MTSFB0603	文件：1.44936 Mbytes Page：1 Pages	LowDCR,smallpackage	MENGCOGuangDong Province MengCo Semiconductor Co., Ltd 盟科半導(dǎo)體廣東省盟科半導(dǎo)體有限公司	MENGCO
N0603N	文件：217.05 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFETFORSWITCHING Description TheN0603NisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance RDS(on)=4.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=50A) ?Lowinputcapacitance Ciss=7730pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) ?Highcurrent ID	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
N0603N	文件：217.05 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFETFORSWITCHING Description TheN0603NisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance RDS(on)=4.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=50A) ?Lowinputcapacitance Ciss=7730pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) ?Highcurrent ID	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
N0603N	文件：280.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.6mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NCB0603R	文件：129.24 Kbytes Page：4 Pages	FerriteChipBeads	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
NCB0603RXXX	文件：129.24 Kbytes Page：4 Pages	FerriteChipBeads	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
NP0603	文件：469.37 Kbytes Page：23 Pages	SURFACE-MOUNTCERAMICMULTILAYERCAPACITORS	YAGEOYageo Corporation 國(guó)巨臺(tái)灣國(guó)巨股份有限公司	YAGEO
NPO0603	文件：133.99 Kbytes Page：7 Pages	ceramicchipcapacitors	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
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NTHS0603	文件：91.01 Kbytes Page：3 Pages	NTCThermistors,SMD0402,0603,0805,1206Chip FEATURES ?Extendedresistancevaluesavailableinstandardsizes ?WraparoundNibarrierterminationswith100Sn ?Allowsdesignflexibilityforusewithhybridcircuitry ?High-densitymonolithicconstructionwithglassovercoat ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance ??	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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更多MSN0603Y供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-19 14:02:00

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