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MSD1819A-RT1G分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

MSD1819A-RT1G
廠商型號

MSD1819A-RT1G
參數(shù)屬性

MSD1819A-RT1G 封裝/外殼為SC-70，SOT-323；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3
功能描述

General Purpose Amplifier Transistor
TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3
封裝外殼

SC-70，SOT-323
文件大小

63.05 Kbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-20 23:00:00

MSD1819A-RT1G規(guī)格書詳情

MSD1819A-RT1G屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的MSD1819A-RT1G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術。

General Purpose Amplifier Transistor NPN Silicon Surface Mount

This NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SC-70/SOT-323 package which is designed for low power surface mount applications.

Features

? High hFE, 210?460

? Low VCE(sat), < 0.5 V

? Moisture Sensitivity Level 1

? ESD Protection:

? Human Body Model > 4000 V

? Machine Model > 400 V

? NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC?Q101

Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    MSD1819A-RT1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    500mV @ 10mA，100mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    210 @ 2mA，10V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-70，SOT-323

  • 供應商器件封裝：

    SC-70-3（SOT323）

  • 描述：

    TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
onsemi(安森美)
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SC-70-3
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